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IPAC直播間 | CoolSiC™碳化硅直播季 高壓碳化硅的應(yīng)用設(shè)計
英飛凌IPAC | CoolSiC™碳化硅直播季第二期將為大家介紹兩款將在7月正式發(fā)布的3300V高壓SiC產(chǎn)品組合系列: 一是漏極-源極導(dǎo)通電阻2.0m?(25℃條件下),標稱電流1000A的模塊; 二是漏極-源極導(dǎo)通電阻2.6m?(25℃條件下),標稱電流750A的模塊。
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英飛凌第二代HybridPACK™ Drive 擴展結(jié)溫至200℃,以提升電動車加速性能
英飛凌提供的最新HybridPACKTM Drive Gen2 SiC MOSFET都允許達到200℃,也是業(yè)界第一個標注在規(guī)格書中的最高結(jié)溫,如何使用和理解該技術(shù)特點實現(xiàn)電驅(qū)的性能優(yōu)勢……
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想了解人形機器人背后的硬科技嗎?來英飛凌直播為您揭曉!
本次研討會將介紹基于英飛凌產(chǎn)品的機器人的現(xiàn)狀以及未來發(fā)展應(yīng)用,以及基于英飛凌產(chǎn)品在機器人應(yīng)用中的解決方案以及成功案例分享。
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貝能國際線上官方店盛大開業(yè),超值優(yōu)惠等您來!
我們很高興地宣布,貝能國際官方店正式開業(yè)啦!作為一家領(lǐng)先的IC產(chǎn)品授權(quán)分銷商及解決方案供應(yīng)商,貝能一直致力于為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的電子元器件及專業(yè)的技術(shù)支持。
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解決方案再升級—— 英飛凌把藍牙®連接距離延長至5.7公里
如上一篇文章?所講,我們在海灘進行了一次實驗,對CYW20829芯片進行了測試,實現(xiàn)了2.3公里的藍牙®低功耗(LE)連接距離。為了進一步增加上次測試的藍牙連接距離,我們進行了第二次測試。這一次,我們的目標是在兩個碼頭之間長達2.8公里的距離,維持藍牙LE長距離連接……
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IPAC直播間 | CoolSiC™碳化硅直播季 - 迎接碳化硅2000V時代
今年3月, 英飛凌推出了市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件, 全面開啟碳化硅2000V的時代。 最新的2000V CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14mm,電氣間隙為5.4mm。 作為英飛凌的創(chuàng)新產(chǎn)品,其在直流母線電壓表現(xiàn)搶眼,能為1500 VDC系統(tǒng)的過壓提供更高的裕量。
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英飛凌IPAC | CoolSiC™碳化硅直播季第二期將為大家介紹兩款將在7月正式發(fā)布的3300V高壓SiC產(chǎn)品組合系列: 一是漏極-源極導(dǎo)通電阻2.0m?(25℃條件下),標稱電流1000A的模塊; 二是漏極-源極導(dǎo)通電阻2.6m?(25℃條件下),標稱電流750A的模塊。
2024-06-17
IPAC直播間 | CoolSiC™碳化硅直播季 高壓碳化硅的應(yīng)用設(shè)計
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英飛凌提供的最新HybridPACKTM Drive Gen2 SiC MOSFET都允許達到200℃,也是業(yè)界第一個標注在規(guī)格書中的最高結(jié)溫,如何使用和理解該技術(shù)特點實現(xiàn)電驅(qū)的性能優(yōu)勢……
2024-06-12
英飛凌第二代HybridPACK™ Drive 擴展結(jié)溫至200℃,以提升電動車加速性能
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本次研討會將介紹基于英飛凌產(chǎn)品的機器人的現(xiàn)狀以及未來發(fā)展應(yīng)用,以及基于英飛凌產(chǎn)品在機器人應(yīng)用中的解決方案以及成功案例分享。
2024-05-30
想了解人形機器人背后的硬科技嗎?來英飛凌直播為您揭曉!
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我們很高興地宣布,貝能國際官方店正式開業(yè)啦!作為一家領(lǐng)先的IC產(chǎn)品授權(quán)分銷商及解決方案供應(yīng)商,貝能一直致力于為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的電子元器件及專業(yè)的技術(shù)支持。
2024-05-22
貝能國際線上官方店盛大開業(yè),超值優(yōu)惠等您來!
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如上一篇文章?所講,我們在海灘進行了一次實驗,對CYW20829芯片進行了測試,實現(xiàn)了2.3公里的藍牙®低功耗(LE)連接距離。為了進一步增加上次測試的藍牙連接距離,我們進行了第二次測試。這一次,我們的目標是在兩個碼頭之間長達2.8公里的距離,維持藍牙LE長距離連接……
2024-05-12
解決方案再升級—— 英飛凌把藍牙®連接距離延長至5.7公里
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今年3月, 英飛凌推出了市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件, 全面開啟碳化硅2000V的時代。 最新的2000V CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,爬電距離為14mm,電氣間隙為5.4mm。 作為英飛凌的創(chuàng)新產(chǎn)品,其在直流母線電壓表現(xiàn)搶眼,能為1500 VDC系統(tǒng)的過壓提供更高的裕量。
2024-05-06
IPAC直播間 | CoolSiC™碳化硅直播季 - 迎接碳化硅2000V時代
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