今年3月， 英飛凌推出了市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件， 全面開啟碳化硅2000V的時代。 最新的2000V CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。 作為英飛凌的創新產品，其在直流母線電壓表現搶眼，能為1500 VDC系統的過壓提供更高的裕量。
英飛凌IPAC“CoolSiC?碳化硅直播季”去年一經上線，備受好評！5月14日 14：00，今年的碳化硅季正式回歸！
首期話題將為您揭開CoolSiC? MOSFET 2000V的神秘面紗：
- 增強型M1H CoolSiC? MOSFET技術帶來哪些產品優勢？
- 2000V CoolSiC? 碳化硅分立器件和模塊產品各有什么特點？
- 如何應對2000V CoolSiC? MOSFET的驅動挑戰？
- 2000V CoolSiC? MOSFET在應用設計時需要關注哪些設計難點？
嘉賓介紹
波老師：IPAC 常駐主持
沈嵩：碳化硅資深專家 ， 具有豐富的逆變器設計系統經驗和功率器件應用知識
趙佳：碳化硅資深專家 ， 長期負責功率半導體產品在新能源等應用技術支持
直播時間
2024年5月14日（周二）14:00
報名方式
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鎖定碳化硅季未來幾期，更多福利/驚喜將在直播間呈現：CoolSiC? MOSFET 2000V產品評估板首次公開發布售賣，柵極驅動器重點知識講解，儲能方面的應用……
