擊穿電壓Breakdown Voltage（BV）是隔離器的核心指標， 思瑞浦的隔離產品BV達到10kV，與國內同類產品相比，處于國內領先水平，與國際友商產品的指標12kV最為接近。

隔離產品的使用場景比較惡劣，經常有靜電和浪涌沖擊，對隔離產品的防護能力要求很高，思瑞浦隔離產品具備±8kV IEC ESD和±6kV防浪涌能力（對應±10kV peak），領先國內同類產品，與國際友商產品性能一致，處于國際先進水平。

表2：抗沖擊保護能力對比

CMTI即Common Mode Transient Immunity。CMT共模瞬變干擾，是指共模電壓在快速上升時（或下降）引起的干擾，上升斜率越快引起的干擾沖擊就越大，用dV/dt來標識。CMTI，共模瞬變抗擾度，衡量器件在共模瞬變時依然能夠正常傳輸信號的能力，參數值是共模瞬變的最大Slew Rate，反映出隔離產品對共模瞬變干擾的抑制能力。如圖1所示，為數字隔離器CMTI測試模型框圖。 

圖1: CMTI測試模型

在電機驅動等典型應用中，使用PWM脈寬控制柵極驅動或MOS FET，后者用來驅動電機。MOS FET等功率器件往往工作在硬開關狀態下，若使用普通的硅MOS FET，產生的電壓跳變(dV/dt)干擾通常在40kV/μs以內，大多數的隔離產品CMTI都可以滿足該需求。而同樣參數的碳化硅/氮化鎵器件，開關速度更快，特別是下降沿時會更加惡劣，如圖2模擬CMTI下降沿測試電路，表格3的數據也是基于此條件而得出。

圖2：CMTI下降沿測試電路

下圖3，在使用碳化硅MOS FET時，所產生共模干擾的最大下降斜率會達到200kV/μs，因此要求隔離產品具備200kV/μs以上CMTI能力。

如果隔離產品的CMTI能力不夠，dV/dt干擾會對低壓側控制信號造成很大的影響。一旦產生誤脈沖，嚴重情況下會導致橋臂直通，引發短路，造成嚴重的產品失效事故。隨著新能源的普及，越來越多的場景使用碳化硅/氮化鎵器件，提高隔離產品的CMTI能力迫在眉睫。思瑞浦隔離產品具備 ±200kV/μs的靜態CMTI, 動態CMTI也高達±150kV/μs，優于國內外同類產品，處于國際領先水平。

思瑞浦隔離產品具備高隔離電壓，高抗沖擊能力，相關技術指標處于國內領先、國際先進水平，可以滿足大多數工業應用場景的可靠性需求。同時具備行業領先的CMTI能力，特別適合碳化硅/氮化鎵的新能源等應用場景。數字隔離器產品已獲得相關安規認證，包括：VDE、UL1577、TUV、CSA、CQC。