7月26日上午10：00，英飛凌StrongIRFET? 2系列產(chǎn)品的技術(shù)特性及優(yōu)勢即將在電源網(wǎng)直播解密。
新一代功率MOSFET技術(shù)帶來比前一代StrongIRFET? 更高的功率效率，提供高達(dá)40%的RDS(on)改進(jìn)和高達(dá)60%的Qg降低，可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。更高的額定電流可實現(xiàn)更高的載流能力，無需再并聯(lián)多個器件，從而降低BOM成本并節(jié)省電路板面積。
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