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貝能推出6.6kW雙向DC/DC電源方案 采用全數字控制,實現高效雙向直流電轉換

發布時間:2024-12-26

貝能基于6.6kW雙向DC/DC電源方案,此方案由Infineon的單片機XMC4400-F100、碳化硅IMT65R022M1H、 OptiMOS? IPT010N08NM5和CoolMOS? IPA80R1K4P7、隔離驅動器2EDS9265H和2EDB8259F/2EDF7275F、準諧振反激式控制器ICE5QSBG等器件構成。


該方案采用全數字控制,并基于CLLC拓撲結構,能夠根據功率流向的不同,實現高效能和高功率密度的雙向直流電轉換功能。


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主要硬件構成


主控


主控MCU為Infineon的XMC4400-F100,將先進的外設集與行業標準的ARM?Cortex?-M4 結合在一起,120MHz的主頻,包括單周期DSP MAC和浮點運算單元( FPU )。12位的ADC帶70 ns的采樣時間,確保快速反應時間和更緊湊的控制回路;150ps分辨率的高精度PWM單元使其特別適用于太陽能逆變器、SMPS和不間斷電源( UPS )等應用中的數字電源轉換。


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XMC4400-F100框圖


SiC MOSFET


SiC MOSFET采用RDS(on)為22mΩ的IMT65R022M1H,ID為79A @25℃和64A@100℃,耐壓650V,采用TOLL封裝,與D2PAK相比,降低了熱阻抗,再加上獨創的xt互連,可實現更高密度的設計和更高的開關頻率操作,22mΩ的產品非常適合高功率DC/DC。


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80V 功率 MOSFET


IPT010N08NM5是英飛凌同類產品中RDS(on)最好的 80V 功率 MOSFET,采用 TOLL封裝,RDS(on)為1.05mΩ,是在 25?C 和 175?C 條件下具備業界最低的導通電阻。OptiMOS? 5 硅技術是英飛凌最新一代的功率 MOSFET,專為數字電源的同步整流而設計。


隔離驅動器


SiC的驅動器采用快速穩健的雙通道加強絕緣 MOSFET 柵極驅動器2EDS9265H。其采用 300mil DSO-16 封裝,專為高性能功率轉換應用而設計。強大的 4A/8A 拉/灌雙通道柵極驅動器可有效提高半橋器件CoolSiC? MOSFETs 650V效率。37ns的較短傳播延遲,久經溫度和生產考驗,時序依舊極為精準穩定,上述兩者可進一步提高跨電氣隔離的功率級或多相/多電平拓撲的效率。輸出的反向電流能力高達5A,共模瞬變抗擾度 (CMTI) 穩健性可達150V/ns,適用于高 dv/dt 功率環路。加強絕緣讓 2EDS9265H 成為次級側控制的理想之選。


EiceDRIVER? 2EDF7275F 完美適用于噪聲高功率開關環境高邊和低邊 MOSFET主級側控制,實現穩健運行。強大的 4A/8A 拉/灌雙通道柵極驅動器,可在驅動 CoolMOS? 或 OptiMOS? 等高壓和中壓 MOSFET 時進行快速開關。兩個輸出通道均單獨隔離,可以靈活部署為浮動柵極驅動器,具有 150V/ns 極高 CMTI(共模噪聲抗擾度)。


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2EDS和2EDF系列內部框圖


2EDB8259F


EiceDRIVER? 2EDB8259F是一款具有浮動輸出的雙通道隔離柵極驅動器IC。這款強大的5A/9A源/匯雙通道柵極驅動器具有非常高的150V/ns CMTI(共模瞬態抗擾度),可在高功率開關噪聲環境中與CoolMOS?、CoolGaN? GIT HEMT一起穩健運行。


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反激控制器


低壓DC-DC隔離使用反激控制器ICE5QSBG實現,其支持共源共柵配置,并針對離線開關模式電源進行了優化。控制器采用經改善的數字降頻技術并支持專有準諧振操作,因此通過降低高低壓線路間的開關頻率差,其可在較寬的交流電壓范圍內實現低 EMI 和高效率。而增強型主動突發模式更是為待機功率范圍的選擇提供了靈活性。此外,ICE5QSBG 有寬的供電電壓工作范圍 (10.0~25.5 V),功耗較低。控制器配備諸多保護功能,如支持輸入過壓和欠壓保護的可靠線路保護,可在故障情況下為電源系統提供全面防護。示例框圖如下:

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反激式DC/DC中的MOSFET


反激式DC/DC中的MOSFET 采用IPA80R1K4P7,是800V CoolMOS? P7超結MOSFET系列,完全適合低功率SMPS應用,可完全滿足性能,易用性和性價比等市場需求。



方案原理圖


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MCU部分

 

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SiC驅動部分


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 MOSFET驅動部分


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 反激式控制部分

 

PCBA


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底板


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控制板

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控制板電源板


軟件說明


本方案采用CLLC拓撲,初級LLC控制,次級SR控制,通過對電壓、電流、溫度的檢測,實現VMC控制,并實現各種保護,如峰值電流、過流、高低壓、過溫保護等。


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 軟件開發環境


實際測試


BUCK波形:黃(輸入高壓端MOS Vds);綠(輸入高壓端諧振腔電流);藍(輸出直流電壓);紫(低壓同步整流信號)


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BUCK輸入輸出測試數據:


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BOOST波形:黃(輸入低壓端MOS Vds);綠(輸出諧振腔電流);藍(輸入諧振腔電流); 


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BOOST輸入輸出測試數據:


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方案主要參數與特點


  • 輸入電壓: 350~430Vdc/44V~56Vdc

  • 輸出電壓: 54V / 390V

  • 最大輸出功率:  6.6KW

  • 效率max: Buck mode: 98%;Boost mode: 97%

  • 拓撲結構:CLLC

  • 工作頻率: 48~250KHz

  • 尺寸: 220mm*162mm*60mm




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